概要
裏面照射型CMOSイメージセンサーの支持基板の代わりに信号処理回路が形成されたチップ(回路領域)を用い、画素領域と重ね合わせることで(積層構造)、小さなチップサイズで、大規模な回路の搭載が可能になります。
技術解説
画素部分と回路部分はそれぞれ最適なプロセスで製造可能
画素部分と回路部分をそれぞれ独立したチップとして形成するので、画素部分は高画質化に特化した、回路部分は高機能化に特化した製造プロセスを採用できます。これによって高画質化・高機能化・小型化を同時に実現します。
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