イメージセンサー共通

イメージセンサーの種類：CCDイメージセンサーとCMOSイメージセンサー

イメージセンサーの構造は一般的に 「CCD（Charge Coupled Device：電荷結合素子）」と「CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor：相補性金属酸化膜半導体）」の2方式に分類できます。CMOSイメージセンサーは、CCDイメージセンサーに比べて高速で低消費電力というメリットがあるため、現在ではスマートフォンやデジタルカメラなど、多くの分野でCMOSイメージセンサーが主流となっています。

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社（以下、SSS）は、2004年に当時トップシェアを獲得していたCCDイメージセンサーから、後発のCMOSイメージセンサーに注力することに大きく方針を転換。長年のCCDイメージセンサー開発で得たノウハウを生かしながらCMOSイメージセンサーの開発・生産にリソースを集中したことで、CMOSイメージセンサー市場におけるトップシェアを獲得するに至っています。

CCDイメージセンサーとCMOSイメージセンサーの構造比較

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光を電気（電荷）に変換した後、一画素ずつバケツリレーのように転送し、センサーの出口のアンプで増幅させて信号化します

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それぞれのフォトダイオードにアンプがあるので、電気をその場で増幅させて信号化し、一気に伝送します

光を電気（電荷）に変換した後、一画素ずつバケツリレーのように転送し、
センサーの出口のアンプで増幅させて信号化します

それぞれのフォトダイオードにアンプがあるので、
電気をその場で増幅させて信号化し、一気に伝送します

CMOSイメージセンサーの特長

CCDイメージセンサーと比べてCMOSイメージセンサーの特長には、高速性、低消費電力性に加えて、アナログ回路・デジタル回路を同チップ上に集積化できるシステムインテグレーション適応性が挙げられます。
初期段階のCMOSイメージセンサーは、CCDイメージセンサーよりもノイズが多く感度が低いというデメリットがあり、画質の面で劣っていましたが、その後技術革新によってCCDイメージセンサーを凌駕する高画質な動画や静止画を撮影できるようになりました。高速、低消費電力の特長を持つCMOSイメージセンサーの高画質化が、さまざまなカメラの進化を支えてきました。

SSSのCMOSイメージセンサーの特長

SSSは、2007年に高速、低ノイズを実現した独自のカラムA/D変換回路搭載のCMOSイメージセンサーを、2009年には従来比2倍の感度を実現した裏面照射型CMOSイメージセンサーを商品化し、その性能はCCDイメージセンサーを超えるまでになりました。さらに2012年には画素部分と信号処理部分の積層構造により、高画質、多機能、小型を実現した積層型CMOSイメージセンサーを商品化、2015年には小型、高性能、生産性向上を実現したCu-Cu（カッパー・カッパー）接続を世界に先駆けて実用化するなど、技術革新を重ね、常に業界をリードしています。

イメージセンサー キーテクノロジーの進化

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イメージセンサー キーテクノロジーの進化