概要
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社(以下、SSS)は2009年、従来比2倍の感度を実現した裏面照射型CMOSイメージセンサーを商品化。従来の表面照射型CMOSイメージセンサーに比べて、約2倍の感度と低ノイズを実現しました。シリコン基板の裏側から光を照射することで、配線やトランジスタの影響を受けることなく単位画素に入る光の量を増大させられる上、光の入射角変化に対する感度低下を抑えることが可能です。夜景などの暗い場所でもなめらかで高画質な映像の撮影を実現します。
技術解説
裏面照射型に最適化した独自のフォトダイオード構造
裏面照射型では、シリコン基板を反転させた面(裏面側)から光を照射させることで、配線やトランジスタの影響を受けることなく単位画素に入る光の量を増大させるとともに、光の入射角変化に対する感度低下を抑えることが可能になります。しかしその反面、従来の表面照射型と比べて、その構造や工程に起因したノイズ、暗電流、欠陥画素、混色など、イメージセンサーの画質低下につながる課題が発生し、S/N比を低下させてしまう課題がありました。
そこでSSSは、裏面照射型に最適化した独自のフォトダイオード構造を発明することで、感度の改善およびノイズ、暗電流、欠陥画素を低減し、暗時ランダムノイズの改善を実現しました。また、高精度アライメント技術により、混色の課題も克服しています。
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