MEMS Foundry Service
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概要
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社が長年に渡って培ったMEMS/半導体加工技術とMEMS受託の実績をいかし、試作から量産まで一貫した、幅広いMEMS受託サービスを提供。お客さまのMEMS開発・生産ニーズを支援します。
・受託サービス範囲
ウェーハ工程の開発受託(開発、試作)、生産受託
・対応プロセス
SOIを含むバルクプロセス、サーフェスプロセス、半導体プロセス
・製造拠点
ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング株式会社 鹿児島テクノロジーセンター
・ISO認証
ISO9001、ISO14001
MEMS受託サービスの流れ
*) この時間軸はあくまで目安であり、製品および開発項目によって変化することご容赦ください。
JDA: Joint Development Agreement
WSSA: Wafer Supply & Services Agreement
特長
サービスと設備
MEMS Foundry service (as of Apr.2022) | |
---|---|
Location | Kirishima City, Kagoshima Prefecture, Japan |
Clean class | Class 1-1000 |
Wafer size | 8inch |
Production capacity | Small volume engineering samples - mass production |
Services | Process optimization, Engineering samples, Mass production |
ISO, etc. | ISO9001, ISO14001 |
Development / Production experience | various sensors, actuators, optics |
Process technology | Bulk processing including SOI, Cavity-SOI, Surface processing |
Equipment | |
---|---|
Photolythography | Stepper, Double sided aligner, Coater, Developer |
Heat treatment / diffusion | Diffusion, Ionic diffusion |
Deposition | LPCVD, PCVD, Sputter, Vapor deposition, Doped Poly, Epi Poly |
Dry etch | RIE, DeepRIE, Asher |
Wet etch | HF, KOH, Resist removal |
Cleaning | RCA, Organic cleaning |
Other | Plating, Lift off |
LowStress SiN, LowStress Poly, LowStress Epi Si | |
Epi | |
Design / Analysis | Analysis environment |
Measurement / Evaluation | MEMS measurement, Evaluation environment |
幅広い材料の取り扱いに対応
プロセス技術例
その他さまざまなデバイス構造に対応しておりますので、ご相談ください。
◆TSV (Through Silicon Via)
実装技術の1つであり、シリコンチップの内部を垂直に貫通する電極のことである。複数枚のチップを重ねて1つのパッケージに収める場合に、上下のチップ同士の接続をこの貫通電極で行うことで、パッケージの小型化や信頼性の向上が期待される。
Features
・High aspect ratio TSV
・High-density TSV
◆WLP (Wafer Level Package)
ウェーハ接合技術により、パッケージを含めたMEMSチップの小型化が可能になる。
Features
・Au - Si Eutectic Bonding
・Vacuum Sealing
・Au - Au Bonding
・Glass Frit Bonding
・Resin Bonding
◆Deep RIE Process
(Deep RIE)とは、反応性イオンエッチング (RIE) の一つで、アスペクト比の高い(狭く深い)反応性イオンエッチングをいう。アスペクト比が高いことから高アスペクト比エッチングとも言われる。
MEMSにおけるバルクマイクロマシニングの主要な作製技術である。
Features
・High aspect ratios
・Various taper angles
・Filling
◆Epi Poly Process
構造体の上にEpi Poly層を形成してさらに構造体を形成することが可能であり、複雑なデバイス構造を実現することができる。
Features
・Thick Poly-Si
・Low-resistance Poly-Si
・Low-stress Poly-Si
お問い合わせ
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