製品
MEMS Foundry Service

MEMS Foundry Service

試作から量産まで一貫したMEMS受託サービス

概要

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社が長年に渡って培ったMEMS/半導体加工技術とMEMS受託の実績をいかし、試作から量産まで一貫した、幅広いMEMS受託サービスを提供。お客さまのMEMS開発・生産ニーズを支援します。

・受託サービス範囲

ウェーハ工程の開発受託(開発、試作)、生産受託

・対応プロセス

SOIを含むバルクプロセス、サーフェスプロセス、半導体プロセス

・製造拠点

ソニーセミコンダクタマニュファクチャリング株式会社 鹿児島テクノロジーセンター

・ISO認証

ISO9001、ISO14001

MEMS受託サービスの流れ

MEMS受託サービスの流れの図
MEMS受託サービスの流れの図
拡大拡大アイコン

*) この時間軸はあくまで目安であり、製品および開発項目によって変化することご容赦ください。
JDA: Joint Development Agreement
WSSA: Wafer Supply & Services Agreement

MEMS受託サービス営業拠点の地図
MEMS受託サービス営業拠点の地図
拡大拡大アイコン

特長

サービスと設備

MEMS Foundry service (as of Apr.2022)
Location Kirishima City, Kagoshima Prefecture, Japan
Clean class Class 1-1000
Wafer size 8inch
Production capacity Small volume engineering samples - mass production
Services Process optimization, Engineering samples, Mass production
ISO, etc. ISO9001, ISO14001
Development / Production experience various sensors, actuators, optics
Process technology Bulk processing including SOI, Cavity-SOI, Surface processing
Equipment
Photolythography Stepper, Double sided aligner, Coater, Developer
Heat treatment / diffusion Diffusion, Ionic diffusion
Deposition LPCVD, PCVD, Sputter, Vapor deposition, Doped Poly, Epi Poly
Dry etch RIE, DeepRIE, Asher
Wet etch HF, KOH, Resist removal
Cleaning RCA, Organic cleaning
Other Plating, Lift off
LowStress SiN, LowStress Poly, LowStress Epi Si
Epi
Design / Analysis Analysis environment
Measurement / Evaluation MEMS measurement, Evaluation environment

幅広い材料の取り扱いに対応

取り扱い対応の材料の表

プロセス技術例

その他さまざまなデバイス構造に対応しておりますので、ご相談ください。

◆TSV (Through Silicon Via)

実装技術の1つであり、シリコンチップの内部を垂直に貫通する電極のことである。複数枚のチップを重ねて1つのパッケージに収める場合に、上下のチップ同士の接続をこの貫通電極で行うことで、パッケージの小型化や信頼性の向上が期待される。

Features
 ・High aspect ratio TSV
 ・High-density TSV

◆WLP (Wafer Level Package)

ウェーハ接合技術により、パッケージを含めたMEMSチップの小型化が可能になる。

Features
 ・Au - Si Eutectic Bonding
 ・Vacuum Sealing
 ・Au - Au Bonding
 ・Glass Frit Bonding
 ・Resin Bonding

WLP (Wafer Level Package)の画像

◆Deep RIE Process

(Deep RIE)とは、反応性イオンエッチング (RIE) の一つで、アスペクト比の高い(狭く深い)反応性イオンエッチングをいう。アスペクト比が高いことから高アスペクト比エッチングとも言われる。
MEMSにおけるバルクマイクロマシニングの主要な作製技術である。

Features
 ・High aspect ratios
 ・Various taper angles
 ・Filling

Deep RIE Processの画像1
Deep RIE Processの画像2
Deep RIE Processの画像3

◆Epi Poly Process

構造体の上にEpi Poly層を形成してさらに構造体を形成することが可能であり、複雑なデバイス構造を実現することができる。

Features
 ・Thick Poly-Si
 ・Low-resistance Poly-Si
 ・Low-stress Poly-Si

Epi Poly Processの画像

お問い合わせ

ソニーセミコンダクタソリューションズグループおよび製品・サービスに関するお問い合わせ、仕様書、見積り/購入のご依頼などは、以下のボタンより専用フォームにてご連絡ください。