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    ~半導体積層プロセスにおけるCu-Cu接続技術の開発により、
    カメラの小型化と高性能化、積層型CMOSイメージセンサーの生産性向上に貢献~

報道資料
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2026年04月07日

令和8年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 科学技術賞を受賞
~半導体積層プロセスにおけるCu-Cu接続技術の開発により、
カメラの小型化と高性能化、積層型CMOSイメージセンサーの生産性向上に貢献~

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社

ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社は、このたび「令和8年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰」において、「科学技術賞(開発部門)」を受賞しました。同賞は、日本国内の社会経済や国民生活の発展向上等に寄与し、実際に利活用されている画期的な研究開発若しくは発明を行った者に授与されます。

受賞対象となった「半導体積層プロセスにおけるCu-Cu(カッパーカッパー)接続技術の開発」は、スマートフォンをはじめとしたさまざまな端末に搭載されるカメラの小型化と高性能化、ならびに積層型CMOSイメージセンサーの生産性向上に貢献する成果であり、その業績が評価されたものです。本開発に係る特許発明は、令和6年度 全国発明表彰(主催:公益社団法人 発明協会)において「内閣総理大臣賞」を受賞しています。

受賞内容の詳細

【受賞名】
「令和8年度 科学技術分野の文部科学大臣表彰 科学技術賞(開発部門)」
【受賞者】



ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
研究開発センター 第2研究部門
藤井 宣年
萩本 賢哉
青柳 健一
香川 恵永

受賞した開発技術について
本開発は、積層型CMOSイメージセンサーの画素チップと論理回路チップを、それぞれの積層面に形成したCu(銅)端子で直接接続する技術です。これにより、画素チップを貫通する接続部を設ける必要がなくなるため、イメージセンサーのさらなる小型化と高性能化、ならびに積層型CMOSイメージセンサーの生産性向上が可能になります。また、端子配置の自由度向上と高密度化により、積層型CMOSイメージセンサーの高機能化に貢献します。

イメージ図:従来のTSV接続(through-silicon viaSi貫通電極)とCu-Cu接続の構造比較


【関連リンク】
令和6年度全国発明表彰「内閣総理大臣賞」受賞のニュースリリースについてはこちら
https://www.sony.com/ja/SonyInfo/News/Press/202406/24-023/


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