ソニーの半導体の
歴史/沿革

1954年に日本で初めてトランジスタを商用化したことから始まった、ソニーの半導体事業の歴史を紹介します。

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ソニーの半導体の歴史/沿革 – 年表

歴史		沿革
1953	ソニーの半導体プロジェクト発足
1954	日本初のトランジスタの試作に成功
1957	エサキダイオード発明
1958	シリコンパワートランジスタ開発
1960	ソニー（株）厚木工場建設
1966	小型ラジオ用モノリシックICを世界で初めて商品化
1968	新半導体素子ソニーマグネットダイオード（SMD）を開発
1969	ソニー白石セミコンダクタ（株）設立
1970	CCDの開発に着手
1972	8x8画素の CCD撮像に初めて成功
1973	ソニー国分セミコンダクタ（株）設立
1977	UHF、VHF電子チューナー用可変容量ダイオード量産化 TVチューナー用高信頼性 MNOS型不揮発性メモリ商品化
1978	11万画素のCCD イメージャーを開発
1980	CCD初の商品化。 CCDカラーカメラ「XC-1」がジャンボジェット機に搭載結晶技術のMCZ法を開発
1982	コンパクトディスク（CD）用 LSIを開発
1984	世界初のMOCVD による半導体レーザ 2機種を商品化	ソニー大分（株）設立
1986	デジタルオーディオテープレコーダー（DAT）用LSIを開発	ソニーテクニカルソフト（株）設立
1987	世界初光出力 1Wの超高出力レーザーを商品化	ソニー長崎（株）設立
1989	パスポートサイズハンディカム®向け 1/2インチ25万画素 CCD撮像素子を商品化世界初高速4Mビット SRAMの開発に成功
1990 ソニーテクニカルソフト（株）からソニー・エルエスアイ・デザイン（株）に社名変更	世界初HDTV用 1インチ200万画素FIT方式 CCD撮像素子を開発
1991	ソニー国分セミコンダクタ（株）からソニー国分（株）に社名変更ソニー・エルエスアイ・デザイン（株）、本社移転（YBPイーストタワー11F）
1992	ハイビジョンMUSE デコーダー用 LSIを開発 HDTV用2/3インチ 200万画素FIT方式 CCD撮像素子を開発ミニディスクシステム（MD）専用LSIを商品化
1993	世界最高速の 16MビットSRAMを開発 TFT方式で世界最小サイズ0.55型 11.3万ドットカラーLCD、世界最高画素数0.7型 18万ドットカラーLCDを商品化
1994	1/4インチ41万画素カラー CCD撮像素子を商品化
1995	高速シリアルバス規格 IEEE1394 準拠LSIを商品化	ソニー・エルエスアイ・デザイン（株）、本社移転・厚木事業所統合（YBP研究棟）
1996	低温プロセスによるポリシリコンTFT 形成技術を確立 DRAM混載MD用LSIを商品化 CMOSイメージセンサーの開発開始
1997	1チップMPEG2 ビデオエンコーダーLSIを開発 2.5型18万ドット低温ポリシリコンTFT LCD及び 1/3インチ68万（有効34万）画素CCDを開発
1998	近赤外光領域も高感度に感知する EXview HAD CCD （近赤外光）商品化
1999	CD系記録・再生用/ DVD系再生用の 1チップ2波長レーザーダイオード開発
2000 ソニーとして初めてのCMOSイメージセンサー「IMX001］を商品化。「AIBO」に搭載	ソニー・エルエスアイ・デザイン（株）、九州支社開設（のちに本社へ改称）
2001	ネットワークハンディカム向け低消費電力システムLSI（2種類）開発超高開口プロセス技術を用いた高温ポリシリコンTFT液晶パネル開発（0.9型XGA, 開口率66.1%）	九州3事業所（ソニー国分、ソニー大分、ソニー長崎）を統合し、ソニーセミコンダクタ九州（株）を設立。それぞれの事業所名を国分テクノロジーセンター、大分テクノロジーセンター、長崎テクノロジーセンターに改称ソニーセミコンダクタ九州（株）熊本テクノロジーセンター設立
2002	容量1.5mlの超小型テレビチューナーモジュールを商品化リコンフィギュラブル回路技術"Virtual Mobile Engine"開発	ソニー・エルエスアイ・デザイン（株）、厚木事業所開設
2003	世界初"モノリシック型"高出力 2波長レーザーダイオードを開発世界初1チップGPS用LSIを開発色再現の差を半減させる 4色カラーフィルター CCDと新画像処理プロセッサーを開発 16倍速のDVD記録を可能にする業界最高レベルの220mW
2004	アスペクト比16:9の 1080iハイビジョン撮影を可能にする民生用として初の「1080i 対応HD CCD」を商品化高画質な記録再生を実現する1チップMPEG コーデックLSI（CXD4702GB）を開発 CCDからCMOSイメージセンサーに注力することを方針決定	（株）ソニー・コンピュータエンタテインメントの「Fab」を、ソニーセミコンダクタ九州（株）に統合（長崎テクノロジーセンターに含む）
2005	民生用初のハイビジョン対応デジタルビデオカメラ用CMOSセンサー商品化（1/3型297万画素）世界最小0.61型フルＨＤ対応ディスプレイデバイス「SXRD」商品化モバイル機器での地上デジタルテレビ1セグメント方送受信を可能にする小型デジタルチューナーモジュールを商品化
2006	高解像度化と高感度化の両立を実現する新構造 "クリアビッドCMOSセンサー"商品化 APSサイズ民生向けデジタルスチルカメラ用 1020万画素CCD商品化 "Cell Broadband Engine™"量産	国分テクノロジーセンターの事業所名を鹿児島テクノロジーセンターに改称
2007	無機配向膜を採用し世界最高水準の高輝度を実現した0.79型透過型マイクロディスプレイ "BrightEra"商品化 2層2〜4倍速記録対応ブルーレイディスク用高出力青紫色半導体レーザ商品化 APS-Cサイズで業界最多の有効1247万画素を実現したデジタル一眼レフカメラ向けCMOSイメージセンサー製品化プロジェクター向けハイフレームレート対応 0.61型フルHDディスプレイデバイス"SXRD"開発
2008	35mmフルサイズで有効2481万画素と高速読み出しを実現したデジタル一眼レフカメラ向け CMOSイメージセンサー開発従来比約2倍の感度および低ノイズで高画質を実現した裏面照射型 CMOSイメージセンサー開発世界初、業界最多の有効1225万画素携帯電話向け CMOSイメージセンサー商品化	（株）東芝、ソニー（株）、（株）ソニー・コンピュータエンタテインメント（現：（株）ソニー・インタラクティブエンタテインメント）、3社出資により長崎セミコンダクターマニュファクチャリング（株）設立
2009	世界初裏面照射型CMOSイメージセンサーを商品化デジタルハイビジョンハンディカム®に搭載世界初「TransferJet」規格対応LSIを商品化世界初、地上デジタル放送規格「DVB-T2」用復調LSIを商品化
2010	業界初「BDXL™」対応ブルーレイディスク用パルス400mW級高出力青紫色半導体レーザーの販売開始世界初有効1641万画素の携帯電話向け裏面照射型 CMOSイメージセンサーを商品化新開発スーパー35mm相当 CMOSイメージセンサーをデジタルシネマカムコーダーに搭載
2011	新開発世界最小0.74型4K ディスプレイデバイス"SXRD"	ソニー白石セミコンダクタ（株）をソニーセミコンダクタ九州（株）に吸収合併。社名をソニーセミコンダクタ（株）に変更。ソニー白石セミコンダクタ（株）の事業所名を、白石蔵王テクノロジーセンターに改称
2012	大画面・高画質に優れた次世代ディスプレイ "Crystal LED Display"を開発カメラの進化を実現し続ける積層型CMOSイメージセンサーおよび、新機能「RGBWコーディング」「HDRムービー」を開発カメラの進化を実現し続ける次世代の裏面照射型CMOSイメージセンサーを開発世界最高のデータ伝送速度6.3 Gb/sを実現する低消費電力・広帯域ミリ波無線用LSIを共同開発世界初、発振波長530nm帯で 100mW以上の光出力を有する純緑色半導体レーザーを開発	ソニー・エルエスアイ・デザイン（株）をソニーLSIデザイン（株）に社名表記変更。九州本社を福岡事業所に改称愛知県知多郡東浦町にある（株）ジャパンディスプレイウェスト内に、ソニーセミコンダクタ（株）東浦サテライトを新設ソニーケミカル＆インフォメーションデバイス（株）のラミネート基板の製造事業を会社分割（吸収分割）にて承継。ソニーセミコンダクタ（株）根上サイトを新設
2013	業界最小10mWの低消費電力を実現モバイル機器向け GNSS（全地球衛星測位システム）受信LSIを商品化	ソニーセミコンダクタ（株）の本社所在地を熊本県菊池郡菊陽町に変更
2014	最大99％の再生材使用率と高い耐久性・耐熱性を実現した難燃性再生プラスチックSORPLAS™ （ソープラス）の外販を開始世界最高感度の車載カメラ向け CMOSイメージセンサーを商品化業界初、像面位相差AF信号処理機能の搭載で高速AFを実現した積層型CMOSイメージセンサーを商品化	ラミネート基板事業の収束に伴い、ソニーセミコンダクタ（株）根上サイトを閉鎖ルネサスエレクトロニクス（株）の100%連結子会社であるルネサス山形セミコンダクタ（株）鶴岡工場を買収し、ソニーセミコンダクタ（株）山形テクノロジーセンターを設立ソニーLSIデザイン（株）が本社移転（厚木）
2015	世界初Cu-Cu接続技術を量産化	距離画像センサー技術を保有するベルギーのSoftkinetic Systems S.A. （ソフトキネティックシステムズ社）を買収
2016	業界初、ハイブリットAFと 3軸電子手ブレ補正機能を内蔵した積層型CMOS イメージセンサーを商品化 4K/8K衛星デジタル放送に向けて業界初の「ISDB-S3」対応の復調LSIおよびチューナーモジュールを商品化	LTE通信向けモデムチップ技術を保有するイスラエル国 Altair Semiconductor（アルティア社）を買収ソニー（株）の半導体事業を分社し、ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）営業開始社名をソニーセミコンダクタ（株）からソニーセミコンダクタマニュファクチャリング（株）に変更。大分市に大分テクノロジーセンターを新設。国東市にある工場の名称を大分テクノロジーセンター国東サテライトに変更
2017	業界初、DRAMを積層した3層構造のスマートフォン向けCMOSイメージセンサーを開発 LEDフリッカー抑制とHDR撮影を同時実現車載カメラ向けCMOSイメージセンサー業界初の商品化独自の低消費電力広域（LPWA）ネットワーク技術を開発毎秒1,000フレームで対象物の検出と追跡を実現する高速ビジョンセンサーを商品化業界最小画素の裏面照射型 Time of Flight方式距離画像センサーを開発業界最高解像度の車載カメラ向け有効742万画素積層型CMOS イメージセンサーを商品化裏面照射型Time of Flight方式距離画像センサーを商品化
2018	低消費電力のIoT向けスマートセンシングプロセッサ搭載ボード「SPRESENSE™」を商品化 0.5型として最高解像度の UXGA有機ELマイクロディスプレイを商品化世界最小0.37型フルHD反射型液晶ディスプレイデバイスSXRD™および専用信号処理駆動LSIを商品化業界最多有効4800万画素のスマートフォン向け積層型CMOSイメージセンサーを商品化業界最多有効540万画素のHDR撮影と LEDフリッカー抑制を同時に実現する車載カメラ向け CMOSイメージセンサーを商品化
2019	SSS独自の低消費電力広域（LPWA）通信規格ELTRES™に対応した通信モジュールを商品化世界最小1/2.8型セキュリティカメラ向け 4K解像度CMOSイメージセンサーおよび低照度性能を向上した2タイプを商品化裏面照射型画素構造のグローバルシャッター機能を搭載した積層型CMOSイメージセンサー 6タイプを産業機器向けに商品化	仮想ネットワークなどの仮想化技術を有する Mido Holdings Ltd.（ミドクラ社）を買収
2020 ソニーセミコンダクタソリューションズ（株）大阪オフィスを開設 Altair Semiconductor Ltd.から Sony Semiconductor Israel Ltd.に社名変更ソニーセミコンダクタエネルギーマネジメント（株）を設立	ソニーとProphesee（プロフェシー）業界最小画素、業界最高HDR特性の積層型イベントベースビジョンセンサーを開発業界最小5μm画素で、可視光から非可視光帯域まで撮像可能な SWIR（短波長赤外）イメージセンサー 2タイプを産業機器向けに商品化世界初 AI処理機能を搭載したインテリジェントビジョンセンサー 2タイプを商品化デュアルバンド測位で業界最小の消費電力を実現 IoT・ウェアラブル機器向け高精度GNSS受信LSIを商品化
2021	業界最多有効1億2,768万画素のグローバルシャッター機能搭載大型CMOSイメージセンサーを産業機器向けに商品化単露光方式で従来比約8倍のダイナミックレンジセキュリティカメラ向け1/1.2型4K解像度CMOS イメージセンサーを商品化業界初車載LiDAR向け積層型SPAD距離センサーを商品化業界最小4.86μm角画素を実現した被写体の変化のみを検出する積層型イベントベースビジョンセンサー 2タイプを商品化業界最多有効約813万画素で UV（紫外線）波長域に対応したグローバルシャッター機能搭載 CMOSイメージセンサーを産業機器向けに商品化 AIカメラを活用したセンシングソリューションの効率的な開発・導入を可能にするエッジAIセンシングプラットフォーム「AITRIOS（アイトリオス）™」のサービスを開始世界初2層トランジスタ画素積層型 CMOSイメージセンサー技術を開発
2022	エッジAIセンシングプラットフォーム「AITRIOS™（アイトリオス）」による有償サービスを開始	ソニーLSIデザインをソニーセミコンダクタソリューションズ（株）に吸収合併し、経営統合
2023	業界最高の光子検出効率により高精度・低消費電力な測距性能を実現するスマートフォン用SPAD距離センサーを商品化電磁波ノイズエネルギーから高効率に電力を生成するエナジーハーベスティング（環境発電）用のモジュールを開発業界最多有効1,742万画素の車載カメラ用 CMOSイメージセンサーを商品化
2024	業界初RAW画像とYUV画像を独立した2系統で処理・出力可能な車載カメラ用CMOSイメージセンサーを商品化
2025	高解像度および高速性を同時に実現する、車載LiDAR向け積層型SPAD距離センサーを商品化